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產(chǎn)品名稱：P50-Q2、PA50-Q2 所屬分類：測試探針 產(chǎn)品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為16.55mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產(chǎn)品介紹（產(chǎn)品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金‘ 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸彈力：75g 訂購熱線：400-183-6682
產(chǎn)品名稱：P50-Q1、PA50-Q1 所屬分類：測試探針 產(chǎn)品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為16.55mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產(chǎn)品介紹（產(chǎn)品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金‘ 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸彈力：75g 訂購熱線：400-183-6682
產(chǎn)品名稱：P50-J、PA50-J 所屬分類：測試探針 產(chǎn)品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為16.55mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產(chǎn)品介紹（產(chǎn)品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金‘ 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸彈力：75g 訂購熱線：400-183-6682
產(chǎn)品名稱：P50-F、PA50-F 所屬分類：測試探針 產(chǎn)品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為16.55mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產(chǎn)品介紹（產(chǎn)品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金‘ 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸彈力：75g 訂購熱線：400-183-6682
產(chǎn)品名稱：R11-3W 所屬分類：測試探針 產(chǎn)品簡介：探針、測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、鍍金探針、ICT測試針、測試架探針 訂購熱線：400-183-6682 產(chǎn)品介紹（產(chǎn)品概述） 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 套管：黃銅管鍍金 鉆孔尺寸：1.40mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：120g
產(chǎn)品名稱：R11-3S 所屬分類：測試探針 產(chǎn)品簡介：探針、測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、鍍金探針、ICT測試針、測試架探針 訂購熱線：400-183-6682 產(chǎn)品介紹（產(chǎn)品概述） 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 套管：黃銅管鍍金 鉆孔尺寸：1.40mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：120g
產(chǎn)品名稱：R11-2W 所屬分類：測試探針 產(chǎn)品簡介：探針、測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、鍍金探針、ICT測試針、測試架探針 訂購熱線：400-183-6682 產(chǎn)品介紹（產(chǎn)品概述） 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 套管：黃銅管鍍金 鉆孔尺寸：1.40mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：120g
產(chǎn)品名稱：R11-2S 所屬分類：測試探針 產(chǎn)品簡介：探針、測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、鍍金探針、ICT測試針、測試架探針 訂購熱線：400-183-6682 產(chǎn)品介紹（產(chǎn)品概述） 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 套管：黃銅管鍍金 鉆孔尺寸：1.40mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：120g
產(chǎn)品名稱：R11-1W 所屬分類：測試探針 產(chǎn)品簡介：探針、測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、鍍金探針、ICT測試針、測試架探針 訂購熱線：400-183-6682 產(chǎn)品介紹（產(chǎn)品概述） 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 套管：黃銅管鍍金 鉆孔尺寸：1.40mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：120g
產(chǎn)品名稱：R11-1T 所屬分類：測試探針 產(chǎn)品簡介：圓錐頭探針、測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、鍍金探針、ICT測試針、測試架探針 訂購熱線：400-183-6682 產(chǎn)品介紹（產(chǎn)品概述） 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 套管：黃銅管鍍金 鉆孔尺寸：1.40mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：120g
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探針測試行業(yè)發(fā)展趨勢（1）設(shè)備將向高精度化方向發(fā)展現(xiàn)階段半導(dǎo)體器件主要通過提高集成度的方式實現(xiàn)更多功能或更快響應(yīng)。為此，半導(dǎo)體制造過程一般會縮小器件特征尺寸，如高端邏輯芯片的電路制程線寬已由微米級別縮小至納米級別，最小已達(dá)3納米；在光電芯片中，最小的Micro LED尺寸也已經(jīng)縮小至50μm以下。此外，為避免器件集成度提高后單位制造成本過度上漲，業(yè)界一般使用更大尺寸的晶圓，通過在單片晶圓片上制造更多的芯片并提高邊緣區(qū)域使用率的方法降低單位制造成本，目前主流晶圓尺寸已從4英寸、6英寸，逐步發(fā)展到8英寸和12英寸。
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